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[实用新型]半导体结构-CN200820001825.5有效
发明人：黄明源;纪丽红 -专利权人：普诚科技股份有限公司
申请日： 2008-01-09 - 公布日： 2008-10-29 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本实用新型提供一种半导体结构，该半导体结构包括一基底、一第一金属氧化物半导体、一第二金属氧化物半导体、一第一半导体区以及一第二半导体区。第一金属氧化物半导体以及第二金属氧化物半导体分别形成于该基底上。第一半导体区形成于该基底以及该第一金属氧化物半导体之间。第二半导体区形成于该基底以及该第二金属氧化物半导体之间。其中该第一半导体区以及该第二半导体区用以隔离该第一金属氧化物半导体以及该第二金属氧化物半导体。本实用新型所述的半导体结构可以防止产生闭锁。
半导体结构

[发明专利]半导体结构-CN201811091934.5在审
发明人：王秉国;宋海;李磊 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2018-09-19 - 公布日： 2018-12-07 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体结构，所述半导体结构包括衬底；位于所述衬底表面的存储堆叠结构；贯穿所述存储堆叠结构至所述衬底表面的栅线隔槽；填充于所述栅线隔槽中的半导体层，所述半导体层中掺杂有用于减小所述半导体层晶粒大小的掺杂原子上述方法形成的半导体层晶粒较小，能够提高半导体结构的性能。
半导体结构半导体层晶粒衬底表面堆叠结构隔槽栅线存储掺杂原子衬底减小填充掺杂贯穿

[实用新型]半导体结构-CN201821529359.8有效
发明人：王秉国;宋海;李磊 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2018-09-19 - 公布日： 2019-03-29 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种半导体结构，所述半导体结构包括衬底；位于所述衬底表面的存储堆叠结构；贯穿所述存储堆叠结构至所述衬底表面的栅线隔槽；填充于所述栅线隔槽中的半导体层，所述半导体层中掺杂有用于减小所述半导体层晶粒大小的掺杂原子上述方法形成的半导体层晶粒较小，能够提高半导体结构的性能。
半导体结构半导体层晶粒衬底表面堆叠结构隔槽栅线存储本实用新型掺杂原子衬底减小填充掺杂贯穿

[发明专利]半导体结构-CN200710126295.7有效
发明人：李传英;邓端理 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2007-06-29 - 公布日： 2008-05-07 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：一种半导体结构，包括：衬底；隔离结构，在半导体衬底中，其中隔离结构在半导体衬底中定义区域；第一半导体区，其至少一部分在通过隔离结构所定义的该区域中，其中第一半导体区具有第一导电型；第二半导体区，在第一半导体区上，其中第二半导体区具有与第一导电型相反的第二导电型；以及具有第一导电型的第三半导体区，在第二半导体区上，其中第三半导体区的至少一部分高于隔离结构的上表面。本发明能够克服现有技术的PRAM装置中隔离结构的深度小的缺点，改善选择器的扩充性。
半导体结构

[实用新型]半导体结构-CN201920441739.4有效
发明人：吴秉桓 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2019-04-02 - 公布日： 2020-02-11 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本实用新型实施例涉及一种半导体结构，包括：第一半导体单元以及位于第一半导体单元内的第一TSV结构，第一半导体单元顶部表面露出第一TSV结构；位于第一半导体单元顶部表面的层间接合层，层间接合层内具有互连结构，互连结构包括至少一层导电层，互连结构具有顶端和与所述顶端相对的底端，且第一TSV结构与所述互连结构的底端相接触；位于层间接合层表面的第二半导体单元，第二半导体单元与第一半导体单元分别位于层间接合层相对的两侧，第二半导体单元内具有第二TSV结构，第二TSV结构与互连结构的顶端相接触。本实用新型实施例提供的半导体结构的整体厚度薄，且有利于减小半导体结构的电阻值，改善半导体结构的性能。
半导体单元互连结构半导体结构合层本实用新型顶部表面导电层底端电阻减小

[发明专利]半导体结构-CN202310887251.5在审
发明人：张力;吴文杰;赵晨;黄秋凯 -专利权人：矽力杰半导体技术（杭州）有限公司
申请日： 2023-07-18 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体结构，包括：半导体器件和功率器件，所述半导体器件包括两个栅极、一个源极和一个漏极；所述功率器件包括一个栅极、一个源极和一个漏极；所述半导体器件的第一栅极与所述半导体器件的源极连接，作为所述半导体结构的栅极；所述半导体器件的第二栅极与所述功率器件的源极连接，作为所述半导体结构的源极；所述半导体器件的漏极与所述功率器件的栅极连接；所述功率器件的漏极作为所述半导体结构的漏极。在半导体结构的栅极施加电压，该电压需要先开通半导体器件的第一栅极G1下方的沟道的阈值电压，然后该电压才能用于开通功率器件栅极下方沟道阈值电压，因此，半导体结构的实际栅极阈值电压就被提高了。
半导体结构

[实用新型]半导体结构-CN202221386017.1有效
发明人：陈春宇;赖彦良 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-06-06 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本实用新型的实施例提供一种半导体结构包括衬底、电路区及围绕电路区的密封环区。电路区包括两个第一源极/漏极、连接两个第一源极/漏极的第一半导体层及设置在两个第一源极/漏极之间并环绕每个第一半导体层的第一栅极结构。密封环区包括两个外延成长半导体结构、第二和第三半导体层及第二栅极结构。第二和第三半导体层彼此相互交替地堆叠以形成叠层，叠层的最顶层是第三半导体层中的一者。第二栅极结构设置在两个外延成长半导体结构之间并在叠层的最顶层之上，第一和第三半导体层包括第一半导体材料，第二半导体层包括与第一半导体材料不同的第二半导体材料。
半导体结构

[实用新型]半导体结构-CN201922132369.9有效
发明人：肖瑟 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2019-11-29 - 公布日： 2020-05-29 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体技术领域，提出一种半导体结构，该半导体结构包括：深掺杂阱，与半导体衬底具有不同的掺杂类型，且包裹于半导体衬底内，以使深掺杂阱在堆叠方向上的两相对侧面分别与半导体衬底形成PN结；环形掺杂部，且形成于半导体衬底内；栅极绝缘层，设置于半导体衬底上；栅极，设置于栅极绝缘层背离半导体衬底的一侧，且栅极在半导体衬底上的正投影位于深掺杂阱以外；介电层，设置于半导体衬底上；第一探针垫，设置于介电层背离半导体衬底的一侧，第一探针垫在半导体衬底上的的正投影位于深掺杂阱内；导线，连接于第一探针垫与栅极之间。该半导体结构可以被准确、方便的测量栅极与半导体衬底之间的电容。
半导体结构

[发明专利]半导体结构-CN202111512288.7在审
发明人：陈柏安 -专利权人：新唐科技股份有限公司
申请日： 2021-12-07 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种半导体结构，该半导体结构包括基板、第一氮化物半导体层、第二氮化物半导体层、源极电极、漏极电极、第三氮化物半导体层、第四氮化物半导体层、第五氮化物半导体层以及栅极电极。第一氮化物半导体层以及第二氮化物半导体层依序堆叠于基板之上。源极电极以及漏极电极设置于第一氮化物半导体层之上。第四氮化物半导体层、第五氮化物半导体层、第三氮化物半导体层以及栅极电极依序堆叠于第二氮化物半导体层的顶面且位于源极电极以及漏极电极之间。第三氮化物半导体层以及第四氮化物半导体层具有P型掺杂。
半导体结构

[发明专利]半导体结构-CN201510724668.5有效
发明人：杨玉如;江怀慈;林胜豪;黄世贤;陈建宏;吴俊元;蔡成宗 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2015-10-30 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体结构，包含有一半导体基底、一形成于该半导体基底上且其内包含有至少一凹槽的介电结构、一形成于该凹槽内的鳍片结构、以及一形成于该鳍片结构内的差排区域。该半导体基底包含有一第一半导体材料，而该鳍片结构包含有该第一半导体材料与一第二半导体材料，且该第二半导体材料的一晶格常数不同于该第一半导体材料的一晶格常数。该差排区域的一最高部分高于该凹槽的一开口。
半导体结构

[发明专利]半导体结构-CN202110789464.5在审
发明人：廖忠志 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-07-13 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本公开实施例提出一种半导体结构。半导体结构包括基板，以及从基板延伸并沿着第一方向纵向对齐的第一和第二半导体鳍片。半导体结构还包括在基板上方并与半导体鳍片的侧壁相邻的隔离结构，以及沿着大抵垂直于第一方向的第二方向纵向定向的第一和第二栅极结构。第一和第二栅极结构设置在隔离结构上方。第一栅极结构设置在第一半导体鳍片上方。第二栅极结构设置在第二半导体鳍片上方。半导体结构还包括间隔物层，间隔物层设置在第一栅极结构的侧壁和第二栅极结构的侧壁上，并且连续地延伸穿过第一半导体鳍遍的端部与第二半导体鳍片的端部之间的沟槽。
半导体结构

[发明专利]半导体结构-CN201911075775.4有效
发明人：方信乔;王信介;赖彦霖 -专利权人：錼创显示科技股份有限公司
申请日： 2019-11-06 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本公开实施例提出一种半导体结构。半导体结构包含一基板。半导体结构也包含一缓冲层，缓冲层设置于基板上。半导体结构还包含一第一半导体层，第一半导体层设置于缓冲层上。缓冲层包含一第一缓冲结构与一第二缓冲结构，第二缓冲结构部分设置于第一缓冲结构上，且第一缓冲结构的材料与第二缓冲结构的材料不同。
半导体结构

[实用新型]半导体结构-CN201921573708.0有效
发明人：钱仕兵 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2019-09-20 - 公布日： 2020-03-17 - 主分类号： H01L29/94 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体技术领域，提出一种半导体结构，该半导体结构包括：半导体衬底、掺杂阱、第一绝缘层、电容结构、导线、探针垫。掺杂阱与所述半导体衬底具有不同的掺杂形态，且形成于所述半导体衬底内，以使所述掺杂阱和所述半导体衬底在堆叠方向上形成PN结；电容结构形成于所述半导体衬底上，且位于所述掺杂阱以外位置；第一绝缘层设置于所述掺杂阱上；探针垫设置于所述第一绝缘层背离所述掺杂阱的一侧；导线连接于所述探针垫与所述电容结构的第一电极之间。本公开提供的半导体结构可以被准确、方便的测量电容结构的电容。
半导体结构

[实用新型]半导体结构-CN201820601381.2有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2018-04-25 - 公布日： 2018-11-23 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型提供一种半导体结构，半导体结构包括：半导体衬底；有源区，位于半导体衬底内；浅沟槽，位于半导体衬底内，且位于有源区之间；氧化硅层，位于浅沟槽内，且至少覆盖于浅沟槽的底部及有源区的侧壁上。本实用新型的半导体结构通过在半导体衬底内刻蚀形成隔离出有源区的浅沟槽内形成氧化硅层，在可以有效修复有源区内存在的晶格损伤的同时，并不对有源区造成任何消耗，从而最大限度地保留了用于形成半导体器件的有源区，有效提高了半导体衬底的使用效率，显著节约了成本。
源区衬底半导体结构半导体浅沟槽本实用新型氧化硅层半导体器件晶格损伤使用效率侧壁刻蚀隔离消耗修复节约保留覆盖

[发明专利]半导体结构-CN201210185724.9有效
发明人：朱钧;张淏酥;朱振东;李群庆;金国藩;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2012-06-07 - 公布日： 2013-12-25 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体结构，其包括：一第一半导体层；一活性层以及一第二半导体层依次层叠设置于所述第一半导体层的一表面；以及一金属陶瓷层，其设置于所述第二半导体层远离第一半导体层的表面并接触设置。所述半导体结构在应用中具有良好的发光效果。
半导体结构

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